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Processus de conduction par multi-piégeage et saut des électrons dans les semi-conducteurs désordonnés

Ce travail porte sur l’étude des propriétés de phototransport dans les
semiconducteurs amorphes. Cette étude est faite par simulation numérique de la
photoconductivité en régime transitoire qui repose sur les deux mécanismes de transport :
le processus de multi-piégeages (’multiple trapping’) des électrons à travers les états
étendus et le processus de saut (’hopping’) des porteurs de charges à travers les états
localisés de la queue de bande de conduction. Nous avons développé un modèle sous
forme d’équations de continuité en régime transitoire et qui réunit les deux mécanismes
de transport de ’multiple trapping’ et de saut. Ces équations ont été résolues
numériquement pour calculer la photoconductivité transitoire (PCT). Les résultats
obtenus de la PCT pour les basses températures dans le silicium amorphe hydrogéné a-
Si:H sont en excellent accord avec les prédictions qui découlent de l’analyse de Monroe
sur la thermalisation des porteurs de charges et le transport dans une distribution des
états localisés de forme exponentielle. Nous avons utilisé la simulation pour étudier les
contributions relatives aux deux processus de conduction par ’multiple trapping’ et saut
dans la PCT pour différentes densités des états des semiconducteurs désordonnés.