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Characterization of semi-insulating GaAs:Cr by means of DC-CPM technique

Dans ce présent travail, on a déterminé la distribution énergétique des défauts
du GaAs:Cr en utilisant son spectre d’absorption optique mesuré par la technique du
photo courant constant, ‘CPM’. Ainsi et par dérivation du spectre d’absorption optique
mesuré, on a pu déterminer la densité d’états électronique DOS près de la bande de
valence Ev. On a aussi développé un programme pour modéliser la technique dc-CPM en
régime continu. Un modèle de densité d’états a été proposé en se basant sur deux
techniques complémentaires, la technique ‘CPM’ et la technique du photo-courant
transitoire ‘TPC’, pour calculer le coefficient d’absorption optique total, ainsi que les
deux coefficients d’absorption optique α
n et α
p,dues aux électrons et aux trous
respectivement. On a trouvé que par la combinaison des deux techniques CPM et TPC
d’un coté, et les deux spectres d’absorption α
n et α
p, d’un autre coté, on aboutit à
déterminer la distribution énergétique de la densité d’état électronique sur tout le gap audessous
et au-dessus de niveau de Fermi pour ce type de matériaux.