Accueil > Science et Technologie > Revue des Energies Renouvelables > Volume 13 > Numéro 04

Mesure statistique de la résistance de contact d’une grille sérigraphiée pour cellules solaires au silicium multicristallin

Boumaour M., Chelli F. , Oussalah S. , Sali S. , Si-Ahmed Y. , Tala-Ighil R. , Tayour F.

La métallisation par sérigraphie est une des étapes les plus importantes dans la
technologie d’élaboration des cellules solaires pour une production à grande échelle.
Néanmoins, elle demeure dépendante de plusieurs paramètres variables. Pour le silicium
multi cristallin, tout changement dans le procédé de réalisation des cellules solaires
influence directement l’optimisation du profil de recuit de la métallisation par
sérigraphie. Les plaquettes de silicium multi cristallin subissent toutes les étapes
classiques de réalisation des cellules solaires comme le nettoyage chimique et la
décontamination, une diffusion au phosphore et le dépôt du nitrure de silicium SiNx par
PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Il y a juste le dépôt du contact
Argent Ag sur la face avant de la plaquette. Nous avons utilisé la pâte de sérigraphie Ag
Ferro 3349. La grille métallique comporte six (06) motifs TLM (Transfer Length Method)
pour les mesures de la résistance de contact. Le principal but de ce travail est le contrôle
de la qualité du contact Ag/SiNx/n+-Si dans les cellules solaires au silicium multicristallin.
Les mesures TLM révèlent une cartographie des valeurs de la résistance de
contact pour chaque température. Le profil optimal de température de recuit est autour de
750 °C.