MODELISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES RADIOFREQUENCES A HETEROJONCTION, COMPATIBLES CMOS
l’étude est basée sur des composants bipolaires dédiés à l’électronique analogique et à la conversion numérique analogique, dans le domaine radiofréquence. Ces composants sont compatibles avec une filière silicium CMOS, fortement submicronique. Les moyens technologiques considérés ici pour améliorer les gains en courant de ces composants sont de deux types : l’utilisation d’une base en silicium germanium ou l’introduction d’une très fine couche d’oxyde, agissant comme barrière tunnel, entre le silicium poly cristallin et le mono silicium de l’émetteur. Ce travail, partant de l’étude matériau, aboutit au développement de codes sources résolvant en deux dimensions les équations couplées de Poisson, de continuité du courant en ambipolaire et de Schrِdinger, ce de façon totalement numérique
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