WEBREVIEW

Article(s) de l'auteur Tobbeche S.

La Dépendance En Température De La Photoconductivité A l’Eta Stationnaire Basée sur le modèle « Defect Pool » Dans Le Silicium Amorphe Hydrogène (A-Si:H) Intrinsèque Et Dope


Modelling of transport and recombination of photocarriers in un-doped hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)


Two-dimensional Modelling and Simulation of CIGS thin-film solar cell

| info visites 9166150

Suivre la vie du site fr    ?

Creative Commons License