http://www.webreview.dz/ Webreview est un site fédérateur des revues scientifiques. Il met à la disposition des utilisateurs un ensemble de revues scientifiques algériennes couvrant tous les domaines. Webreview est ouvert à toute revue désireuse de publier son contenu en ligne soit en mode d'accès complet ou restreint permettant ainsi la valorisation de la recherche scientifique en Algérie. Webreview et un projet développé par le CERIST au sein de la Division Recherche et Développement en Sciences de l'Information. Pour contacter Webreview par émail : webreview@mail.cerist.dz Pour contacter Webreview par courrier, fax ou téléphone : Centre de Recherche sur l'Information Scientifique et Technique (CERIST) Rue des 03 frères AISSOU, Ben-Aknoun, Alger, Algérie Tél/Fax : +(213)(0) 21.91.21.98 fr SPIP - www.spip.net http://www.webreview.dz/spip.php?article1189 http://www.webreview.dz/spip.php?article1189 2008-10-26T13:01:16Z text/html fr Ledra M. Simulation monté carlo Ebic Diode schottky <p>Nous avons développé un nouvel algorithme de simulation Monte Carlo pour calculer le courant EBIC. Cet algorithme simule<br class='autobr' /> d'abord les trajectoires des électrons incidents et la dissipation d'énergie qui détermine la génération des porteurs à l'intérieur<br class='autobr' /> du semi-conducteur sous bombardement électronique. La fonction de génération des porteurs en excès ainsi obtenue est sous la<br class='autobr' /> forme d'une distribution tridimensionnelle de sources ponctuelles Si dans le volume de génération. Nous avons calculé la (...)</p> - <a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique240" rel="directory">Numéro 07</a> / <a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot5166" rel="tag">Simulation monté carlo</a>, <a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot5167" rel="tag">Ebic</a>, <a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot5168" rel="tag">Diode schottky</a> <div class='rss_chapo'><p>Nous avons développé un nouvel algorithme de simulation Monte Carlo pour calculer le courant EBIC. Cet algorithme simule<br class='autobr' /> d'abord les trajectoires des électrons incidents et la dissipation d'énergie qui détermine la génération des porteurs à l'intérieur<br class='autobr' /> du semi-conducteur sous bombardement électronique. La fonction de génération des porteurs en excès ainsi obtenue est sous la<br class='autobr' /> forme d'une distribution tridimensionnelle de sources ponctuelles Si dans le volume de génération. Nous avons calculé la<br class='autobr' /> trajectoire de chaque porteur minoritaire généré par différentes sources Si jusqu'à sa collection à la surface d'un contact<br class='autobr' /> Schottky ou sa recombinaison. Nous avons discuté l'effet de l'énergie E0 des électrons incidents et la longueur de diffusion L des porteurs minoritaires sur l'efficacité de collecte η de diode Schottky à base de germanium. Nos résultats sont en bons accords avec ceux publiés dans la littérature.</p></div>