http://www.webreview.dz/ Webreview est un site fédérateur des revues scientifiques. Il met à la disposition des utilisateurs un ensemble de revues scientifiques algériennes couvrant tous les domaines. Webreview est ouvert à toute revue désireuse de publier son contenu en ligne soit en mode d'accès complet ou restreint permettant ainsi la valorisation de la recherche scientifique en Algérie. Webreview et un projet développé par le CERIST au sein de la Division Recherche et Développement en Sciences de l'Information. Pour contacter Webreview par émail : webreview@mail.cerist.dz Pour contacter Webreview par courrier, fax ou téléphone : Centre de Recherche sur l'Information Scientifique et Technique (CERIST) Rue des 03 frères AISSOU, Ben-Aknoun, Alger, Algérie Tél/Fax : +(213)(0) 21.91.21.98 fr SPIP - www.spip.net http://www.webreview.dz/spip.php?article2864 http://www.webreview.dz/spip.php?article2864 2015-12-17T08:43:19Z text/html fr Azizi C. , Hamma I. , Saidi Y. , Zaabat M. 2-D modeling potential distribution Photodetector Photovoltage. <p>A Tow dimensional numerical model of channel potential for GaAs MESFET (Metal semiconductor field effect transistor)doped uniformly .the model takes into acount the effects in channel region considering both the photoconductive effect and photovoltaic effect at the gate schottky . the 2-D potential distribution function in the active layer of the divice is solved numerically under dark and illumination (...)</p> - <a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique483" rel="directory">Numero 00</a> / <a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot10357" rel="tag">2-D modeling potential distribution</a>, <a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot10358" rel="tag">Photodetector</a>, <a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot10359" rel="tag">Photovoltage.</a> <div class='rss_chapo'><p>A Tow dimensional numerical model of channel potential for GaAs MESFET (Metal semiconductor field effect transistor)doped uniformly .the model takes into acount the effects in channel region considering both the photoconductive effect and photovoltaic effect at the gate schottky . the 2-D potential distribution function in the active layer of the divice is solved numerically under dark and illumination condition.</p></div>