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	<title>WEBREVIEW</title>
	<link>http://www.webreview.dz/</link>
	<description>Webreview est un site f&#233;d&#233;rateur des revues scientifiques. Il met &#224; la disposition des utilisateurs un ensemble de revues scientifiques alg&#233;riennes couvrant tous les domaines. Webreview est ouvert &#224; toute revue d&#233;sireuse de publier son contenu en ligne soit en mode d'acc&#232;s complet ou restreint permettant ainsi la valorisation de la recherche scientifique en Alg&#233;rie. Webreview et un projet d&#233;velopp&#233; par le CERIST au sein de la Division Recherche et D&#233;veloppement en Sciences de l'Information. Pour contacter Webreview par &#233;mail : webreview@mail.cerist.dz Pour contacter Webreview par courrier, fax ou t&#233;l&#233;phone : Centre de Recherche sur l'Information Scientifique et Technique (CERIST) Rue des 03 fr&#232;res AISSOU, Ben-Aknoun, Alger, Alg&#233;rie T&#233;l/Fax : +(213)(0) 21.91.21.98</description>
	<language>fr</language>
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<item xml:lang="fr">
		<title>Comparaison du Filtre Adaptatif Rif et du Filtre a Base se R&#233;seau de Neurones Pour le Filtrage du Courant de R&#233;f&#233;rence Pour La commande Du Filtre Actif Parall&#233;le. </title>
		<link>http://www.webreview.dz/spip.php?article844</link>
		<guid isPermaLink="true">http://www.webreview.dz/spip.php?article844</guid>
		<dc:date>2006-10-18T10:26:30Z</dc:date>
		<dc:format>text/html</dc:format>
		<dc:language>fr</dc:language>
		<dc:creator>Bassou A., Benachaiba C., Benrachi F.M. , Mazari B.</dc:creator>


		<dc:subject>R&#233;seaux de neurones</dc:subject>
		<dc:subject>Courant harmonique</dc:subject>
		<dc:subject>Filtre actif</dc:subject>
		<dc:subject>Filtre adaptatif ri f</dc:subject>

		<description>
&lt;p&gt;Le pilotage du filtre actif, qui s'inscrit dans le cadre des solutions nouvelles de filtrage, n&#233;cessite une strat&#233;gie de commande appropri&#233;e des interrupteurs. Il existe plusieurs techniques classiques pour l'obtention des courants de r&#233;f&#233;rences &#224; partir des courants absorb&#233;s par la charge non lin&#233;aire tels que l'analyse spectrale et les filtres s&#233;lectifs.Dans cet article, nous comparons les r&#233;sultats de simulation obtenus par deux types de filtres &#224; savoir le filtre adaptatif RIF et le filtre bas&#233; sur (...)&lt;/p&gt;


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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique189" rel="directory"&gt;Num&#233;ro 17&lt;/a&gt;

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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot2300" rel="tag"&gt;R&#233;seaux de neurones&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot3724" rel="tag"&gt;Courant harmonique&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot3725" rel="tag"&gt;Filtre actif&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot3727" rel="tag"&gt;Filtre adaptatif ri f&lt;/a&gt;

		</description>


 <content:encoded>&lt;div class='rss_chapo'&gt;&lt;p&gt;Le pilotage du filtre actif, qui s'inscrit dans le cadre des solutions nouvelles de filtrage, n&#233;cessite une strat&#233;gie de commande appropri&#233;e des interrupteurs. Il existe plusieurs techniques classiques pour l'obtention des courants de r&#233;f&#233;rences &#224; partir des courants absorb&#233;s par la charge non lin&#233;aire tels que l'analyse spectrale et les filtres s&#233;lectifs.Dans cet article, nous comparons les r&#233;sultats de simulation obtenus par deux types de filtres &#224; savoir le filtre adaptatif RIF et le filtre bas&#233; sur un r&#233;seau de neurones. Le signal cible (courant de r&#233;f&#233;rence) de nature non sinuso&#239;dale nous a amen&#233; &#224; utiliser des filtres d'ordre &#233;lev&#233;. Le r&#233;sultat obtenu par le filtre bas&#233; sur un r&#233;seau de neurones est performant par rapport &#224; celui pr&#233;sent&#233; par le filtre adaptatif RIF.&lt;/p&gt;&lt;/div&gt;
		
		</content:encoded>


		
		<enclosure url="http://www.webreview.dz/IMG/pdf/4-6.pdf" length="197875" type="application/pdf" />
		

	</item>
<item xml:lang="fr">
		<title>Etude Exp&#233;rimentale de capteurs solaires a Air : le S&#233;chage de la Figue</title>
		<link>http://www.webreview.dz/spip.php?article843</link>
		<guid isPermaLink="true">http://www.webreview.dz/spip.php?article843</guid>
		<dc:date>2006-10-17T12:57:40Z</dc:date>
		<dc:format>text/html</dc:format>
		<dc:language>fr</dc:language>
		<dc:creator>Abene A., Dubois V., Leray M., Ouagued A., Si Youcef M.</dc:creator>


		<dc:subject>S&#233;chage</dc:subject>
		<dc:subject>Energie solaire</dc:subject>
		<dc:subject>Simulation</dc:subject>
		<dc:subject>Temp&#233;rature</dc:subject>
		<dc:subject>Figue</dc:subject>

		<description>
&lt;p&gt;Un des probl&#232;mes essentiels de l'utilisation de l'&#233;nergie solaire est les faibles &#233;changes thermiques r&#233;alis&#233;s avec l'air dans la veine dynamique du capteur solaire. Ces &#233;changes ne permettent pas d'obtenir de meilleures performances ou une meilleure efficacit&#233; thermique de ces syst&#232;mes. Par contre, l'introduction de chicanes (obstacles) dispos&#233;es en rang&#233;es dans les conduits de ces syst&#232;mes am&#233;liore nettement les transferts thermiques. L'&#233;tude exp&#233;rimentale men&#233;e consiste en la simulation de cette &#233;nergie (...)&lt;/p&gt;


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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique189" rel="directory"&gt;Num&#233;ro 17&lt;/a&gt;

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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1422" rel="tag"&gt;S&#233;chage&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1640" rel="tag"&gt;Energie solaire&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot2064" rel="tag"&gt;Simulation&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot2116" rel="tag"&gt;Temp&#233;rature&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot3722" rel="tag"&gt;Figue&lt;/a&gt;

		</description>


 <content:encoded>&lt;div class='rss_chapo'&gt;&lt;p&gt;Un des probl&#232;mes essentiels de l'utilisation de l'&#233;nergie solaire est les faibles &#233;changes thermiques r&#233;alis&#233;s avec l'air dans la veine dynamique du capteur solaire. Ces &#233;changes ne permettent pas d'obtenir de meilleures performances ou une meilleure efficacit&#233; thermique de ces syst&#232;mes. Par contre, l'introduction de chicanes (obstacles) dispos&#233;es en rang&#233;es dans les conduits de ces syst&#232;mes am&#233;liore nettement les transferts thermiques. L'&#233;tude exp&#233;rimentale men&#233;e consiste en la simulation de cette &#233;nergie solaire. Le but recherch&#233; est d'am&#233;liorer le couple Temp&#233;rature-Rendement du capteur solaire plan &#224; air et d'appliquer ce dernier pour l'am&#233;lioration du temps de s&#233;chage de la figue.&lt;/p&gt;&lt;/div&gt;
		
		</content:encoded>


		
		<enclosure url="http://www.webreview.dz/IMG/pdf/3-9.pdf" length="537194" type="application/pdf" />
		

	</item>
<item xml:lang="fr">
		<title>Cin&#233;tique de Croissance et de Dissolution des clusters et Effet des tr&#232;s Forts Dopages sur la Diffusion du Dopant Dans des films Minces de Polysilicium</title>
		<link>http://www.webreview.dz/spip.php?article842</link>
		<guid isPermaLink="true">http://www.webreview.dz/spip.php?article842</guid>
		<dc:date>2006-10-17T11:56:27Z</dc:date>
		<dc:format>text/html</dc:format>
		<dc:language>fr</dc:language>
		<dc:creator>Abadli S., Mansour Farida</dc:creator>


		<dc:subject>Mod&#232;le</dc:subject>
		<dc:subject>Diffusion transitoire</dc:subject>
		<dc:subject>Dopage</dc:subject>
		<dc:subject>Clusters</dc:subject>
		<dc:subject>Polysilicium</dc:subject>

		<description>
&lt;p&gt;La diffusion transitoire et acc&#233;l&#233;r&#233;e (TED) du dopant est un probl&#232;me majeur pour la fabrication de composants micro&#233;lectroniques et circuits int&#233;gr&#233;s. Cette diffusion est fortement influenc&#233;e par l'&#233;volution thermique des ph&#233;nom&#232;nes complexes li&#233;s aux effets des fortes concentrations cr&#233;&#233;s au cours du recuit d'activation du dopant. Cependant, les mod&#232;les actuellement utilis&#233;s dans les simulateurs disponibles sur le march&#233; ne tiennent pas compte de fa&#231;on correcte des m&#233;canismes complexes de croissance et de (...)&lt;/p&gt;


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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique189" rel="directory"&gt;Num&#233;ro 17&lt;/a&gt;

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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot2045" rel="tag"&gt;Mod&#232;le&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot3715" rel="tag"&gt;Diffusion transitoire&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot3716" rel="tag"&gt;Dopage&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot3717" rel="tag"&gt;Clusters&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot3718" rel="tag"&gt;Polysilicium&lt;/a&gt;

		</description>


 <content:encoded>&lt;div class='rss_chapo'&gt;&lt;p&gt;La diffusion transitoire et acc&#233;l&#233;r&#233;e (TED) du dopant est un probl&#232;me majeur pour la fabrication de composants micro&#233;lectroniques et circuits int&#233;gr&#233;s. Cette diffusion est fortement influenc&#233;e par l'&#233;volution thermique des ph&#233;nom&#232;nes complexes li&#233;s aux effets des fortes concentrations cr&#233;&#233;s au cours du recuit d'activation du dopant. Cependant, les mod&#232;les actuellement utilis&#233;s dans les simulateurs disponibles sur le march&#233; ne tiennent pas compte de fa&#231;on correcte des m&#233;canismes complexes de croissance et de dissolution des clusters. Un des objectifs de ce travail a &#233;t&#233; de comprendre plus pr&#233;cis&#233;ment le r&#244;le des clusters dans la TED du bore, puis de mod&#233;liser et simuler cet effet. Nous proposons un mod&#232;le th&#233;orique adapt&#233; aux tr&#232;s forts dopages pour simuler la TED et l'activation &#233;lectrique du bore introduit par implantation ionique dans des films minces de polysilicium durant le traitement thermique post-implantation. Ce mod&#232;le combine la cin&#233;tique temporelle de croissance et de dissolution des clusters avec les diff&#233;rents m&#233;canismes possibles de diffusion en leurs associant les ph&#233;nom&#232;nes li&#233;s aux effets des tr&#232;s forts dopages tels que le d&#233;passement de la solubilit&#233; solide limite et les dommages cr&#233;es par l'implantation ionique. Le trac&#233; des profils simul&#233;s via ce mod&#232;le th&#233;orique et leur ajustement avec les profils SIMS exp&#233;rimentaux,&lt;br class='autobr' /&gt;
m&#232;ne &#224; des r&#233;sultats tr&#232;s satisfaisants &#224; l'origine de la TED. Pour des traitements thermiques de courtes dur&#233;es comprises entre 1 et 30 minutes &#224; la temp&#233;rature de 700&#176;C, on constate que les changements sont tr&#232;s importants dans les premi&#232;res dur&#233;es de traitement, et que la balance d'&#233;quilibre entre la&lt;br class='autobr' /&gt;
croissance et la dissolution des clusters est obtenue apr&#232;s 130 secondes de recuit.&lt;/p&gt;&lt;/div&gt;
		
		</content:encoded>


		
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	</item>
<item xml:lang="fr">
		<title>A.C. Condition Behaviour in Amorphous WO3/CEO2 Thin Film</title>
		<link>http://www.webreview.dz/spip.php?article841</link>
		<guid isPermaLink="true">http://www.webreview.dz/spip.php?article841</guid>
		<dc:date>2006-10-17T11:43:37Z</dc:date>
		<dc:format>text/html</dc:format>
		<dc:language>fr</dc:language>
		<dc:creator>Boukortt A., Hogarth C., Yagoubi B.</dc:creator>


		<dc:subject>Amorphous</dc:subject>
		<dc:subject>Wo3/ceo2 </dc:subject>
		<dc:subject>Film</dc:subject>

		<description>
&lt;p&gt;The a.c. conduction of amorphous thin film of WO3/CEO2 -AI in which aluminium is used as electrode, is studied in the frequency range 0.1 kHz to 104 kHz. The dielectric response of amorphous 58%WO3/42%CeO2 to the applied alternating field is believed to be Debye-like, where the polarisation could be caused by the transition of charge between W+6 and Ce+4 centres.lt is assumed that these centres are sufficiently close in this composition that appreciable interaction occurs, thereby causing (...)&lt;/p&gt;


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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique189" rel="directory"&gt;Num&#233;ro 17&lt;/a&gt;

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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot3711" rel="tag"&gt;Amorphous&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot3712" rel="tag"&gt;Wo3/ceo2 &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot3713" rel="tag"&gt;Film&lt;/a&gt;

		</description>


 <content:encoded>&lt;div class='rss_chapo'&gt;&lt;p&gt;The a.c. conduction of amorphous thin film of WO3/CEO2 -AI in which aluminium is used as electrode, is studied in the frequency range 0.1 kHz to 104 kHz. The dielectric response of amorphous 58%WO3/42%CeO2 to the applied alternating field is believed to be Debye-like, where the polarisation could be caused by the transition of charge between W+6 and Ce+4 centres.lt is assumed that these centres are sufficiently close in this composition that appreciable interaction occurs, thereby causing the polarisation responsible for this type of conduction. Whereas the a.c. conduction in 81%WO3/19%CeO2, behaving as WS where s=1 around 10kHz, cou Id be interpreted in terms of Elliott model, that is two electrons are assumed to hop to gather from a D to D+ defect centres over a potential barrier separating them. At frequencies higher than&lt;br class='autobr' /&gt;
10kHz, the a.c. conductivity behaves as W2 in 81%W03/19%CeO2. This behaviour in this composition is very similar to that of chalcogenide glasses.&lt;/p&gt;&lt;/div&gt;
		
		</content:encoded>


		
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	</item>
<item xml:lang="fr">
		<title>Cam&#233;l&#233;on : Un &#233;mulateur d'architecture parall&#232;les pour la validation de programmes parall&#232;les</title>
		<link>http://www.webreview.dz/spip.php?article309</link>
		<guid isPermaLink="true">http://www.webreview.dz/spip.php?article309</guid>
		<dc:date>2005-07-19T14:47:02Z</dc:date>
		<dc:format>text/html</dc:format>
		<dc:language>fr</dc:language>
		<dc:creator>Henni Abderrazak, Nouader,R. </dc:creator>


		<dc:subject>Cam&#233;l&#233;on</dc:subject>
		<dc:subject>Architecture parall&#232;le</dc:subject>
		<dc:subject>Programme parall&#232;le</dc:subject>
		<dc:subject>Parall&#233;lisme</dc:subject>
		<dc:subject>&#201;mulation</dc:subject>
		<dc:subject>Simulation</dc:subject>

		<description>
&lt;p&gt;Le parall&#233;lisme est une technique d'acc&#233;l&#233;ration de l'ex&#233;cution, du fait de la coop&#233;ration de plusieurs processeurs dans l'ex&#233;cution d'un m&#234;me programme, l'Un des probl&#232;mes essentiels dans le domaine du parall&#233;lisme est la corr&#233;lation entre le mod&#232;le d'ex&#233;cution et le mod&#232;le de programmation. Aussi, la conception et la r&#233;alisation de machines parall&#232;les sont une t&#226;che fastidieuse qui n&#233;cessite beaucoup d'efforts et d'argent. Deux approches ont &#233;t&#233; utilis&#233;es pour v&#233;rifier la conception des machines et programmes (...)&lt;/p&gt;


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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique97" rel="directory"&gt;Num&#233;ro 14&lt;/a&gt;

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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1411" rel="tag"&gt;Cam&#233;l&#233;on&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1412" rel="tag"&gt;Architecture parall&#232;le&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1413" rel="tag"&gt;Programme parall&#232;le&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1414" rel="tag"&gt;Parall&#233;lisme&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1416" rel="tag"&gt;&#201;mulation&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot2064" rel="tag"&gt;Simulation&lt;/a&gt;

		</description>


 <content:encoded>&lt;div class='rss_chapo'&gt;&lt;p&gt;Le parall&#233;lisme est une technique d'acc&#233;l&#233;ration de l'ex&#233;cution, du fait de la coop&#233;ration de plusieurs processeurs dans l'ex&#233;cution d'un m&#234;me programme, l'Un des probl&#232;mes essentiels dans le domaine du parall&#233;lisme est la corr&#233;lation entre le mod&#232;le d'ex&#233;cution et le mod&#232;le de programmation. Aussi, la conception et la r&#233;alisation de machines parall&#232;les sont une t&#226;che fastidieuse qui n&#233;cessite beaucoup d'efforts et d'argent. Deux approches ont &#233;t&#233; utilis&#233;es pour v&#233;rifier la conception des machines et programmes parall&#232;les, c'est la construction de prototype et la simulation et la simulation logicielle est flexible, par rapport au prototype. De tout ce qui a pr&#233;c&#233;d&#233;, l'objectif est de proposer un syst&#232;me multiprocesseur avec l'environnement logiciel appropri&#233;, d&#233;nomm&#233; Cam&#233;l&#233;on qui permettra l &#8216;&#233;mulation des architectures parall&#232;les d&#233;crites par l'utilisateur et Fournir un support d'ex&#233;cution r&#233;el des programmes parall&#232;les, et permettre ainsi d'obtenir &#224; moindre co&#251;t des r&#233;sultats qui se rapprochent de ceux qu'on pourrait avoir sur la machine d&#233;crite si celle-ci est concr&#233;tis&#233;e ou sera concr&#233;tis&#233;e un jour.&lt;/p&gt;&lt;/div&gt;
		
		</content:encoded>


		
		<enclosure url="http://www.webreview.dz/IMG/pdf/_architectures_paralleles_pour.pdf" length="72283" type="application/pdf" />
		

	</item>
<item xml:lang="fr">
		<title>mod&#233;lisation et optimisation des performances d'une cellule solaire conventionnelle</title>
		<link>http://www.webreview.dz/spip.php?article308</link>
		<guid isPermaLink="true">http://www.webreview.dz/spip.php?article308</guid>
		<dc:date>2005-07-19T14:36:17Z</dc:date>
		<dc:format>text/html</dc:format>
		<dc:language>fr</dc:language>
		<dc:creator>Amini M., Zitouni B.</dc:creator>


		<dc:subject>Mod&#233;lisation</dc:subject>
		<dc:subject>Cellules solaires </dc:subject>
		<dc:subject>Mod&#232;le num&#233;rique </dc:subject>
		<dc:subject>Stimulation </dc:subject>
		<dc:subject>Code lass-1d</dc:subject>
		<dc:subject>Algorithme de mayergoyz </dc:subject>

		<description>
&lt;p&gt;La mod&#233;lisation et l'optimisation des performances d'une cellule solaire N+P au silicium monocristallin de r&#233;f&#233;rence sont effectu&#233;es &#224; l'aide du code de simulation unidimensionnelle LASSI-1D. Ce programme est bas&#233; sur l'algorithme de Mayergoyz pour la r&#233;solution s&#233;quentielle des &#233;quations du semi-conducteur discr&#233;tis&#233;es par les diff&#233;rences finies. L'optimisation des performances de cette cellule solaire consiste en l'adjonction d'un champ de surface arri&#232;re uniforme P+ ou BSF (Back Surface Field) dont (...)&lt;/p&gt;


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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique97" rel="directory"&gt;Num&#233;ro 14&lt;/a&gt;

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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot230" rel="tag"&gt;Mod&#233;lisation&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1406" rel="tag"&gt;Cellules solaires &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1407" rel="tag"&gt;Mod&#232;le num&#233;rique &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1408" rel="tag"&gt;Stimulation &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1409" rel="tag"&gt;Code lass-1d&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1410" rel="tag"&gt;Algorithme de mayergoyz &lt;/a&gt;

		</description>


 <content:encoded>&lt;div class='rss_chapo'&gt;&lt;p&gt;La mod&#233;lisation et l'optimisation des performances d'une cellule solaire N+P au silicium monocristallin de r&#233;f&#233;rence sont effectu&#233;es &#224; l'aide du code de simulation unidimensionnelle LASSI-1D. Ce programme est bas&#233; sur l'algorithme de Mayergoyz pour la r&#233;solution s&#233;quentielle des &#233;quations du semi-conducteur discr&#233;tis&#233;es par les diff&#233;rences finies. L'optimisation des performances de cette cellule solaire consiste en l'adjonction d'un champ de surface arri&#232;re uniforme P+ ou BSF (Back Surface Field) dont l'&#233;paisseur , Wbsf et la concentration, Nbsf, sont d&#233;termin&#233;es de telle sorte que la vitesse de recombinaison effective Seff &#224; la surface arri&#232;re soit la plus faible possible. Les r&#233;sultats de la simulation nous permettent de d&#233;finir deux types de BSF optimaux (Wbsf &gt; 12&#181;m Nbsf = 3 1018 cm-3, Seff &lt; 25cm/s) et (Wbsf =3 &#181;m, Nbsf = 3 1019 cm-3 , Seff = 43cm/s).&lt;/p&gt;&lt;/div&gt;
		
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	</item>
<item xml:lang="fr">
		<title>Measurements in wrinkled flame by laser Doppler velocimetry and laser tomography</title>
		<link>http://www.webreview.dz/spip.php?article307</link>
		<guid isPermaLink="true">http://www.webreview.dz/spip.php?article307</guid>
		<dc:date>2005-07-19T14:32:53Z</dc:date>
		<dc:format>text/html</dc:format>
		<dc:language>fr</dc:language>
		<dc:creator>Hadef R., Serby G.</dc:creator>


		<dc:subject>Laser doppler velocimetry </dc:subject>
		<dc:subject>Laser tomography </dc:subject>
		<dc:subject>Premixed wrinkled flame </dc:subject>
		<dc:subject>Markstein number</dc:subject>

		<description>
&lt;p&gt;This paper deals with the application of laser Doppler velocimetry when associated with laser tomography to weakly stretched propagating downwards flames. Its main objective is the determination of the Markstein number representing sensitivity to strain and curvature of the premixed wrinkled flames.The measured quantities are the flow field velocity of the unburned gas, the normal flame velocity and the amplitude of the flame front.The experimental data are obtained for methane and propane (...)&lt;/p&gt;


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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique97" rel="directory"&gt;Num&#233;ro 14&lt;/a&gt;

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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1401" rel="tag"&gt;Laser doppler velocimetry &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1402" rel="tag"&gt;Laser tomography &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1403" rel="tag"&gt;Premixed wrinkled flame &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1404" rel="tag"&gt;Markstein number&lt;/a&gt;

		</description>


 <content:encoded>&lt;div class='rss_chapo'&gt;&lt;p&gt;This paper deals with the application of laser Doppler velocimetry when associated with laser tomography to weakly stretched propagating downwards flames. Its main objective is the determination of the Markstein number representing sensitivity to strain and curvature of the premixed wrinkled flames.The measured quantities are the flow field velocity of the unburned gas, the normal flame velocity and the amplitude of the flame front.The experimental data are obtained for methane and propane laminar flames stabilized in a sinusoidally (spatially) modulated steady flow. An original method, using the tomography laser technique is developed to stabilize intrinsically the flame. The results obtained are in good agreements with those found in the literature, confirming the dependence of Markstein number values on value of Lewis number.&lt;/p&gt;&lt;/div&gt;
		
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	</item>
<item xml:lang="fr">
		<title>recherche de l&#171; activit&#233; pectinolytique chez 12 souches de champignons microscopiques isolees d &#187;un sol de la r&#233;gion d&#034;El Kala</title>
		<link>http://www.webreview.dz/spip.php?article306</link>
		<guid isPermaLink="true">http://www.webreview.dz/spip.php?article306</guid>
		<dc:date>2005-07-19T14:29:42Z</dc:date>
		<dc:format>text/html</dc:format>
		<dc:language>fr</dc:language>
		<dc:creator>Fenghour H., Ladjama A., Taibi Z.</dc:creator>


		<dc:subject>Soil</dc:subject>
		<dc:subject>Fungi</dc:subject>
		<dc:subject>Polygalacturonases</dc:subject>
		<dc:subject>Polygalacturonic acid</dc:subject>
		<dc:subject>Trichoderma</dc:subject>

		<description>
&lt;p&gt;22 microscopic fungi strains pertaining to the following genus : Aspergillus, Penicillium, Mucor, Alternaria, Nigrospora and Trichoderma have been isolated from soil in the region of El Kala (North-East of Algeria). These species present a depolymerising pectinolytic activity. They secrete polygalacturonases capable of hydrolysing pectic acid more or less esterified. Besides the strains studied, Trichoderma specie seems to be more active and secretes a polygalacturonase actived by chloride (...)&lt;/p&gt;


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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique97" rel="directory"&gt;Num&#233;ro 14&lt;/a&gt;

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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot295" rel="tag"&gt;Soil&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1396" rel="tag"&gt;Fungi&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1398" rel="tag"&gt;Polygalacturonases&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1399" rel="tag"&gt;Polygalacturonic acid&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1400" rel="tag"&gt;Trichoderma&lt;/a&gt;

		</description>


 <content:encoded>&lt;div class='rss_chapo'&gt;&lt;p&gt;22 microscopic fungi strains pertaining to the following genus : Aspergillus, Penicillium, Mucor, Alternaria, Nigrospora and Trichoderma have been isolated from soil in the region of El Kala (North-East of Algeria). These species present a depolymerising pectinolytic activity. They secrete polygalacturonases capable of hydrolysing pectic acid more or less esterified. Besides the strains studied, Trichoderma specie seems to be more active and secretes a polygalacturonase actived by chloride sodium (NaCl), acting at pH 5, at 30&#176;C and its preferential substrate is polygalacturonic acid.&lt;/p&gt;&lt;/div&gt;
		
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	</item>
<item xml:lang="fr">
		<title>Thermal behavior using Analytical and Numerical Model in Multi-Finger Power Heterojunction Bipolar Transistors </title>
		<link>http://www.webreview.dz/spip.php?article305</link>
		<guid isPermaLink="true">http://www.webreview.dz/spip.php?article305</guid>
		<dc:date>2005-07-19T14:26:42Z</dc:date>
		<dc:format>text/html</dc:format>
		<dc:language>fr</dc:language>
		<dc:creator>Boudgene M.A., Boudjemai A., Hocine R.</dc:creator>


		<dc:subject>Thermal </dc:subject>
		<dc:subject>Hbt</dc:subject>
		<dc:subject>Diffusion </dc:subject>
		<dc:subject>Finger </dc:subject>
		<dc:subject>Heat source elements </dc:subject>
		<dc:subject>Nodes</dc:subject>

		<description>
&lt;p&gt;The Transmission Line Matrix (TLM) explicit method has been used to model the transient thermal proprieties of various microwave HBT's power structure. Control of the self-heating is of a paramount importance and changes the electronic performance of the device. The thermal effect is important to the AlGaAs / GaAs multiple emitter heterojunction bipolar transistors (HBT's) due to the high current handling capability of such devices. Aimed toward predicting the HBT behavior and physical (...)&lt;/p&gt;


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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique97" rel="directory"&gt;Num&#233;ro 14&lt;/a&gt;

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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1390" rel="tag"&gt;Thermal &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1391" rel="tag"&gt;Hbt&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1392" rel="tag"&gt;Diffusion &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1393" rel="tag"&gt;Finger &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1394" rel="tag"&gt;Heat source elements &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1395" rel="tag"&gt;Nodes&lt;/a&gt;

		</description>


 <content:encoded>&lt;div class='rss_chapo'&gt;&lt;p&gt;The Transmission Line Matrix (TLM) explicit method has been used to model the transient thermal proprieties of various microwave HBT's power structure. Control of the self-heating is of a paramount importance and changes the electronic performance of the device. The thermal effect is important to the AlGaAs / GaAs multiple emitter heterojunction bipolar transistors (HBT's) due to the high current handling capability of such devices. Aimed toward predicting the HBT behavior and physical trends, we developed an analytical model incorporating the high current as well as thermal effects. The temperature distribution along the depth direction of the substrate is obtained from a three-dimensional analysis by solving the steady-state heat flow equation. In this paper, an investigation of the thermal behavior of single emitter and multi-emitter finger HBT microwave power device is exposed. For the validity, we compare the results found from the theoretical analysis with the results obtained from the three-dimensional TLM method&lt;/p&gt;&lt;/div&gt;
		
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	</item>
<item xml:lang="fr">
		<title>MODELISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES RADIOFREQUENCES A HETEROJONCTION, COMPATIBLES CMOS</title>
		<link>http://www.webreview.dz/spip.php?article304</link>
		<guid isPermaLink="true">http://www.webreview.dz/spip.php?article304</guid>
		<dc:date>2005-07-19T14:22:50Z</dc:date>
		<dc:format>text/html</dc:format>
		<dc:language>fr</dc:language>
		<dc:creator>Gontrand C., Latreche S., Verdier J.</dc:creator>


		<dc:subject>Transistor bipolaire </dc:subject>
		<dc:subject>Radiofr&#233;quence </dc:subject>
		<dc:subject>Silicium germanium </dc:subject>
		<dc:subject>Silicium polycristallin</dc:subject>
		<dc:subject>Schroedinger</dc:subject>

		<description>
&lt;p&gt;l'&#233;tude est bas&#233;e sur des composants bipolaires d&#233;di&#233;s &#224; l'&#233;lectronique analogique et &#224; la conversion num&#233;rique analogique, dans le domaine radiofr&#233;quence. Ces composants sont compatibles avec une fili&#232;re silicium CMOS, fortement submicronique. Les moyens technologiques consid&#233;r&#233;s ici pour am&#233;liorer les gains en courant de ces composants sont de deux types : l'utilisation d'une base en silicium germanium ou l'introduction d'une tr&#232;s fine couche d'oxyde, agissant comme barri&#232;re tunnel, entre le silicium poly (...)&lt;/p&gt;


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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?rubrique97" rel="directory"&gt;Num&#233;ro 14&lt;/a&gt;

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&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1385" rel="tag"&gt;Transistor bipolaire &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1386" rel="tag"&gt;Radiofr&#233;quence &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1387" rel="tag"&gt;Silicium germanium &lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1388" rel="tag"&gt;Silicium polycristallin&lt;/a&gt;, 
&lt;a href="http://www.webreview.dz/spip.php?mot1389" rel="tag"&gt;Schroedinger&lt;/a&gt;

		</description>


 <content:encoded>&lt;div class='rss_chapo'&gt;&lt;p&gt;l'&#233;tude est bas&#233;e sur des composants bipolaires d&#233;di&#233;s &#224; l'&#233;lectronique analogique et &#224; la conversion num&#233;rique analogique, dans le domaine radiofr&#233;quence. Ces composants sont compatibles avec une fili&#232;re silicium CMOS, fortement submicronique. Les moyens technologiques consid&#233;r&#233;s ici pour am&#233;liorer les gains en courant de ces composants sont de deux types : l'utilisation d'une base en silicium germanium ou l'introduction d'une tr&#232;s fine couche d'oxyde, agissant comme barri&#232;re tunnel, entre le silicium poly cristallin et le mono silicium de l'&#233;metteur. Ce travail, partant de l'&#233;tude mat&#233;riau, aboutit au d&#233;veloppement de codes sources r&#233;solvant en deux dimensions les &#233;quations coupl&#233;es de Poisson, de continuit&#233; du courant en ambipolaire et de Schr&#1616;dinger, ce de fa&#231;on totalement num&#233;rique&lt;/p&gt;&lt;/div&gt;
		
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		<enclosure url="http://www.webreview.dz/IMG/pdf/modelisation_electronique.pdf" length="400525" type="application/pdf" />
		

	</item>



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